韓国Samsung Electronicsは1日(現地時間)、30nmクラスのプロセスルールに基づいたアシンクロナスDDR(Double Data Rate)のNANDフラッシュを量産開始したと発表した。

　30nmクラスのプロセスのMLC DDR NANDの量産は業界で初めてだという。従来のSDR MLC NANDの40Mbpsの転送速度と比較して、133Mbpsの転送速度を実現した。容量は32Gbit。新製品は、SSDやSDメモリカードなどに応用可能としている。

30nmプロセスの3bit MLC NAND

　このほか、同社は3bitの30nmクラスのMLC NANDフラッシュの量産を同時に開始した。同製品により、8GBのmicroSDカードを実現できるとしている。