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Hynix、20nmクラスで製造される8Gbit LPDDR3チップ

LPDDR3の8Gbitチップ
6月10日 発表

 韓国SK Hynixは10日、20nmクラスのプロセスで製造されるLPDDR3の8Gbitチップを世界で初めて開発したと発表した。サンプルはすでに顧客に出荷済み。2013年末より量産を開始する。

 モバイルデバイスのトレンドを踏まえてチップを大幅に薄型化。チップを積層して最大4GB(32Gbit)を1つのパッケージとして構成できるうえ、そのパッケージは既存の4Gbitよりも薄いサイズになるという。

 動作速度は既存の4Gbit品(DDR3-1600)よりも高速なDDR3-2133で、シングルチャネルで8.5GB/sec、デュアルチャネルで17GB/secの帯域幅となる。動作電圧は1.2V。

(多和田 新也)