株式会社東芝とサムスン電子株式会社は22日、高速データ転送を実現するNANDフラッシュメモリのインターフェイス「Toggle DDR 2.0」の標準化を推進すると発表した。

　Toggle DDR 2.0は、基準信号の立ち上がりと立ち下がりを利用してデータ転送を行なうDDR(Double Data Rate)をベースとしたインターフェイス技術。信号ノイズ対策などの機能追加により、転送速度400Mbpsと現在の約10倍の高速転送を実現する。

　両社はメモリインターフェイスの共通化により、より広範な調達先の確保を目指すモバイル機器メーカーの要望に応えられるとしている。また、JEDEC半導体技術協会への提案活動を通じて標準化に向けた取り組みを強化する。