エルピーダ、40nmプロセスの4Gbit DDR3 SDRAMを開発

4Gbit DDR3 SDRAM

4月22日 発表



 エルピーダメモリ株式会社は22日、世界最大容量となる4GbitのDDR3 SDRAMを開発完了した。サンプル出荷は2010年第2四半期、量産は第3四半期を予定。生産は広島工場で行なう。

 1チップで4Gbitを実現することで、2Gbit品を2個使用した時と比べ、消費電力を約30%削減できるという。40nmプロセスで設計され、DDR3標準の1.5Vだけでなく、低電圧の1.35Vをサポートする。

 新製品により、サーバー向けでは32GB、ワークステーションやノートPC向けでは8GBのモジュールを実現できる。また、デジタル家電向けにDRAM単体での出荷も行なう。同社は今回の参入により、4Gbit DDR3 SDRAMの安定した供給が見込めるとしている。

 データバス幅は4bit/8bit/16bitの3種類を用意。データ転送レートは1,600Mbps。パッケージは4bit/8bit品が78ボールFBGA、16bit品が96ボールFBGA。

(2010年 4月 22日)

[Reported by 劉 尭]