株式会社東芝は27日、32nmプロセスを採用し1チップで32Gbitの容量を実現したNAND型フラッシュメモリを製品化し、サンプル出荷を開始した。当初計画から2カ月前倒しし、2009年7月より四日市工場で量産する。また、16Gbit製品を2009年第3四半期より量産する。

　32nmプロセスを採用し、1チップの8段積層パッケージで4GBの容量を実現するNANDフラッシュ。32nmプロセスによって製造されたNANDフラッシュの出荷は世界初という。出荷当初はメモリカードやUSB製品向けに展開し、順次組み込み用と向けへ展開する。

　同社は43nm製品からの切り替えを推進し、市場の要求に応えながらNANDフラッシュ市場を牽引。リーダーシップを堅持していくとしている。