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IBM、世界初となる2nmプロセス。バッテリ寿命4倍に

2nmで製造された半導体のウェハ

 IBMは5月6日(現地時間)、世界初となる2nmプロセスで製造された半導体を発表した。

 同社のナノシート技術を利用することで、高度な半導体スケーリングを可能にしたとしており、爪のサイズに最大500億個のトランジスタを搭載できるようになる。現在最先端の7nmノードのチップと比較して、45%高い性能と、75%低い消費電力を達成できるという。

 これにより、スマートフォンのバッテリ寿命が4倍となるほか、全世界のエネルギー消費量の1%を占めるデータセンターの二酸化炭素排出量の低減、アプリケーション処理の高速化やラップトップの高速化、自動運転車の物体検出と反応時間の短縮などに貢献できる。

 同社は2017年に5nmプロセス技術を開発したが、そこから5年で半分以下の2nmを達成した。

電子顕微鏡で見た2nmプロセス。人間の一本鎖DNAの幅よりも短いという
2nmで製造された半導体の拡大