Samsung、EUV採用の5nm FinFETプロセス開発を完了

建設中のSamsung Foundry華城工場EUV生産ライン

　Samsung Electronicsは16日(韓国時間)、5nm FinFETプロセスの開発完了を発表した。

　5nm FinFETは極端紫外線(EUV)露光技術を採用して製造され、同社のEUVを採用するプロセスとしては3つ目のものとなる。

　同じくEUVを採用し2019年初頭に量産が開始された同社の7nmプロセスと比較して、5nm FinFETでは20%の省電力化または10%の高性能化が可能で、ロジック面積効率は最大25%向上できるとしている。

　同社ファウンドリ事業担当副社長のCharlie Bae氏は、EUVベースの最先端プロセスノードは、5GやAI、HPC、自動車といったアプリケーションへの需要が高いとの見込みを示し、EUV露光における同社の技術的な競争力を活用し、引き続き最先端の技術とソリューションを提供していくとしている。

　なお、EUVベースの6nmプロセスについても、すでに顧客と協力しチップ製品のテープアウトを終えていることが明らかとなった。

　同社は、現在のEUVベースプロセスは韓国・華城のS3ラインで製造されているが、2019年後半を目処にEUV生産ラインの拡張工事を行なっており、2020年より稼働開始予定としている。