12月17日(現地時間)発表

　米Sun Microsystemsと米Micron Technologyは17日(現地時間)、100万回の書き換えを実現したNANDフラッシュメモリ技術を開発したと発表した。

　従来のNANDフラッシュメモリの書き換え可能回数は10万回程度だが、新技術ではこれを10倍引き延ばした。この技術はSLCを前提としており、信頼性や長寿命が求められる企業向けのSSD、ディスクキャッシュ、ネットワーク装置などへの応用が考えられている。

　Micronでは、この技術を利用した最大32Gbitの企業向けSLC NANDのサンプル出荷を開始しており、2009年第1四半期より量産を開始する。また、同社ではこれとは別に34nmプロセスのNANDを使ったSLCおよびMLCの企業向け製品を2009年初頭に投入する予定。

□Micronのホームページ(英文)
http://www.micron.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.micron.com/about/news/pressrelease.aspx?id=5F432D92EFA2B68E
□Sun Microsystemsのホームページ(英文)
(12月18日現在、この件に関する情報は掲載されていない)
http://www.sun.com/

(2008年12月18日)

[Reported by wakasugi@impress.co.jp]