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Intel、450mmウェハでの製造に向けてSamsung/TSMCと協業

5月5日(現地時間) 発表



 米Intelは5日(現地時間)、韓国Samsung Electronicsおよび台湾TSMCと、450mmウェハでの製造に向けた協業で合意に達したと発表した。2012年の製造開始を見込む。

 3社は、必要なすべてのコンポーネント、施設、能力が、目標となる2012年までに開発され、パイロットラインのテストを確実にするため、半導体産業と協力する。

 450mmウェハに移行すると、採れるダイの数が現行の300mmウェハの2倍以上となり、コスト削減に貢献する。加えて、エネルギーや水、そのほかのリソースの効率的な利用により、1チップにかかるすべてのリソース使用を減少させられる。

 これまで半導体製造におけるウェハの大きさは、'91年に200mmウェハ、2001年に300mmウェハへと、10年ごとに大きくなってきている。

□Intelのホームページ(英文)
http://www.intel.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/20080505corp.htm
□ニュースリリース(和文)
http://www.intel.co.jp/jp/intel/pr/press2008/080507.htm
□Samsung Electronicsのホームページ(英文)
http://www.samsung.com/
□TSMCのホームページ(英文)
http://www.tsmc.com/
□関連記事
【2001年4月3日】Intel、300mmウェハ上で0.13μmプロセスでの半導体製造を発表
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/article/20010403/intel.htm

(2008年5月7日)

[Reported by yamada-k@impress.co.jp]

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