日立とIBM、32nm以降の半導体で特性評価を共同研究

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3月10日　発表

　株式会社日立製作所と米IBMは10日、32nm以降の半導体の特性評価に関する基礎研究を共同で行なうことに合意したと発表した。期間は2年間。

　両社は企業向けサーバーなどで協業を行なっているが、半導体技術分野へと初めて拡大する。半導体は微細化が進行しているが、それにより素子内のばらつきがデバイスの特性に大きな影響を与えるようになるという。

　これに対して両社は、半導体デバイスとその構造を分析する新しい手法を用い、32nm以降の半導体に関する基礎研究を行なう。両社の技術者は、米ニューヨーク州にあるIBMのワトソン研究所と、ニューヨーク州立大学アルバニー校の研究施設「Albany NanoTech Complex」にて共同研究を行なう。

(2008年3月10日)

[Reported by matuyama@impress.co.jp]