2月26日(現地時間)　発表

　米AMDは2月26日(現地時間)、EUV(Extreme Ultra-Violet；超紫外線)リソグラフィをFull-Field(全範囲)に適用したテストチップを試作したと発表した。今回の成功は、45nmノートのテストチップ全体(22×33mm)のファブ工程へ、EUVリソグラフィ技術を統合できることを示すものとしている。

　研究は、AMDとIBM、ニューヨーク州立大学アルバニー校ナノスケール科学工学カレッジ(CNSE)のAlbany Nanotech Complexの共同で行ない、AMDのブルーノ・ラ・フォンテイン博士がSPIE Advanced Lithographyのカンファレンスにて発表した。

　テストチップはまず、AMDのFab 36にて193nm液浸リソグラフィを利用してトランジスタまで加工された。その後CNSEにあるIBMの研究施設で、IBMとASML、CNSEが協力してASMLのEUVリソグラフィスキャナで金属配線の第1層をパターン化し、エッチングと金属デポジション工程を施した。AMDでの電気試験で、テストチップは193nmの液浸リソグラフィで製造したテストチップとほぼ同一の性能を示したという。

　今後同社は、EUVリソグラフィの応用可能性を確かなものにするため、金属配線だけでなくすべてのクリティカル層に適用し、完全に動作するマイクロプロセッサを生産することを目指す。

□AMDのホームページ(英文)
http://www.amd.com/
□ニュースリリース
http://www.amd.com/jp-ja/Corporate/VirtualPressRoom/0,,51_104_543~124028,00.html
□IBMのホームページ(英文)
http://www.ibm.com/
□CNSEのホームページ(英文)
http://cnse.albany.edu/

(2008年3月4日)

[Reported by matuyama@impress.co.jp]