Samsung、60nmプロセスの1Gbit DDR2を量産開始3月1日(現地時間) 発表 韓国Samsung Electronicsは1日(現地時間)、60nmプロセス製造による1Gbit DDR2 SDRAMの量産を開始したと発表した。 製造を開始したのは容量1GbitのDDR2-667/800対応DRAM。60nmプロセス製造のDRAMは世界初としている。これまでの80nmプロセスと比較して40%以上、製造効率が高まるという。これにより、メインストリームのDRAM容量を、現行の512Mbitから1Gbitに牽引すると予測している。 同社は、60nmプロセスの1Gbit DRAMを2005年に開発していた。また、50nmプロセスによるDRAMも2006年10月に開発している。 □Samsung Electronicsのホームページ(英文) (2007年3月2日) [Reported by yamada-k@impress.co.jp]
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