1月27日(現地時間)発表

　米IBMは27日(現地時間)、AMD・ソニー・東芝と共同で「High-k(高誘電率)金属ゲート」と呼ばれるトランジスタ技術を開発したと発表した。

　現在、トランジスタのプロセスシュリンクは、ゲート絶縁膜などから漏れる無駄な電流や、それに伴う不要な発熱などから、技術的な限界に達しつつある。今回、IBMが発表した技術は、トランジスタにHigh-k金属ゲートを用いることで、これらの問題を回避し、より小さく、高速で、熱効率に優れたトランジスタの製造を可能とするもの。Intelも、ほぼ同時に同等の技術を発表している。

　またIBMは、ツーリングなどに最小限の変更を加えるだけで、既存のチップ製造ラインでHigh-k金属ゲートを使用するための製造技術も開発した。

　IBMでは、技術の詳細を公開していないが、今後開催される学会などで説明を行なっていくとしている。同技術は、同社イーストフィッシュキル工場で、2008年より45nmプロセス世代の製品で採用する予定。

□IBMのホームページ(英文)
http://www.ibm.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www-03.ibm.com/press/us/en/pressrelease/20980.wss
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(2007年1月29日)

[Reported by wakasugi@impress.co.jp]