1月24日 発表

　株式会社東芝は24日、56nmプロセスを採用したNANDフラッシュメモリを開発したと発表した。1月から8Gbit品の量産を開始し、第2四半期中に16Gbit品の量産を開始する。

　プロセスの微細化により、前世代の2倍の容量となる16Gbitを実現。また、一度に処理するデータを倍増することで、書き込み速度も従来の約2倍となる10MB/secに高速化した。

□東芝のホームページ
http://www.toshiba.co.jp/
□ニュースリリース
http://www.toshiba.co.jp/about/press/2007_01/pr_j2401.htm
□関連記事
【2006年9月11日】Samsung、世界初の32Gbit NANDフラッシュメモリを開発
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/0911/samsung.htm

(2007年1月24日)

[Reported by wakasugi@impress.co.jp]