12月14日　発表

　NECエレクトロニクス株式会社は14日、エルピーダメモリ株式会社および沖電気工業株式会社は共同で、8枚のメモリチップと1つのシステムLSIをパッケージングする「積層メモリパッケージ技術」を開発したと発表した。同技術の開発は、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の助成を受けて行なわれた。

　従来のメモリモジュールは1枚のメモリチップに1つのシステムLSIをパッケージングしていたが、今回開発した技術では同時に8枚までのメモリチップをパッケージング可能になり、メモリモジュールを大容量化できる。

　現在、メモリの大容量化/高速化へのニーズが高まっているが、従来の方式ではプロセッサとメモリを接続するピン数と、積層できるメモリチップ数に制限があるほか、信号伝送の高速化が不十分などの課題があったという。

　3社が新たに開発した技術は、メモリチップ内に50μmピッチで埋め込んだポリシリコンによりチップの両面に1,000ピン以上の電極を作る貫通電極技術と、厚さ50μmのメモリチップ8枚を縦方向にマイクロバンプで接合し、システムLSIを合わせて9枚のチップをパッケージングする積層組立技術の2つ。積層組み立て技術については、NECエレクトロニクスが開発したSiP技術「SMAFTI」を適用した。これらの技術により、9枚のチップをマイクロバンプで三次元的に接続してメモリを大容量化できる積層メモリパッケージング技術を実現したという。

□NECエレクトロニクスのホームページ
http://www.necel.com/
□ニュースリリース
http://www.necel.com/news/ja/archive/0612/1401.html
□エルピーダメモリのホームページ(英語)
http://www.elpida.com/
□沖電気工業のホームページ
http://www.oki.com/jp/

(2006年12月14日)

[Reported by matuyama@impress.co.jp]