9月11日(現地時間)　発表

　韓国Samsung Electronicsは11日(現地時間)、世界初となる容量32GbitのNANDフラッシュメモリを開発したと発表した。

　このNANDフラッシュメモリは40nmプロセスで製造され、CTF(Charge Trap Flash)と呼ばれる同社が開発した新技術を採用した。

　これまでのNANDフラッシュは、東芝が'89年に開発したFloating Gate技術を採用しており、ゲートおよびデータ記憶領域の素材にポリシリコンを採用。プロセス技術は50nmまで、容量は16Gbitまでが限界とされていた。

　新開発のCTF技術は、コントロールゲートに窒化タンタル(TaN)を採用し、従来の5分の1のサイズを実現。また、データは窒化ケイ素(SiN)によって形成された非伝導性層の「holding chamber」と呼ばれる場所に一時的に置かれるようになり、セル間ノイズレベルを低減させ、高い信頼性を実現したとしている。

　CTFは第7世代のNAND技術として、20nmプロセスまでの微細化および容量256Gbitの実現が可能になるとしている。

□Samsung Electronicsのホームページ(英文)
http://www.samsung.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.samsung.com/PressCenter/PressRelease/PressRelease.asp?seq=20060911_0000286548

(2006年9月11日)

[Reported by ryu@impress.co.jp]