2月20日(現地時間)発表

　米IBMは20日(現地時間)、現行の半導体製造に使用されている光リソグラフィ技術で、29.9nmプロセスを実現する技術を開発したと発表した。

　今回発表された新技術は、DUV(深紫外線、193nm)の「高屈折率液浸技術」を改良し、JSR Microの開発した新素材を使用して成功した。技術の詳細は米カリフォルニア州で開催されるSPIE Microlithography 2006で発表される。

　同社は、今回の実績により、半導体業界はチップ製造技術の根本的な変更をしなければならなくなるまで、少なくとも7年間の猶予を与えられる可能性を示している、としている。現行の光リソグラフィ技術では、32nmが限界とみられていた。

□IBMのホームページ(英文)
http://www.ibm.com/
□ニュースリリース(和文)
http://www-06.ibm.com/jp/press/20060220001.html
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【1月12日】IBM、ソニー、東芝が32nm以降のプロセス技術を共同開発
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/0112/ist.htm

(2006年2月20日)

[Reported by yamada-k@impress.co.jp]