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エルピーダ、3.2GHz動作のXDR DRAMをサンプル出荷
3月30日発表 エルピーダメモリ株式会社は30日、3.2GHz動作の512Mbit XDR DRAM「EDX5116ABSE」のサンプル出荷を開始したと発表した。量産開始は9月。 XDR DRAMは、Rambusが開発した1クロックサイクル当たり8つのデータ入出力を行なうODR(Octal Data Rate)を採用。広帯域のデータ処理向けの製品で、ソニーの次世代PlayStationで採用されている。 データ転送速度は2.4GHz、3.2GHz、4GHzをサポート。構成は4Mワード×16bit×8バンク、動作電圧1.8V±0.09、最小サイクルタイム(tRC)は40ns、リフレッシュサイクルは16ms、内部データパスは256 I/O@5nsサイクル。パッケージは104ボールFBGAを採用する。 □エルピーダメモリのホームページ (2005年3月30日) [Reported by yamada-k@impress.co.jp]
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