SSRテクノロジー搭載の「EDD2516KCTA」

1月13日 発表

　エルピーダメモリ株式会社は、DRAMの待機電流を1/20に低減する「SSR(Super Self Refresh)テクノロジー」を開発したと発表した。256MbitのDDR SDRAMチップ「EDD2516KCTA」に搭載し、すでにサンプル出荷を開始しており、3月から量産を予定している。

　SSRテクノロジーは、DRAMメモリセルに内蔵されたキャパシタのリフレッシュ間隔を延ばすことで、待機電流の大半を占めるセルフリフレッシュ時の電流を低減する。DRAM内部にエラー補正回路を搭載しており、セルフリフレッシュ間隔を延ばした際のデータエラーを修復する。

　SSRテクノロジーを搭載した「EDD2516KCTA」は、DDR 400対応のTSPO IIパッケージで、カーナビゲーションシステムやPDA、シリコンディスクなどを対象とする。内蔵の温度センサによりリフレッシュ周期を自動調整する機能も備えており、通常の3mAに対し、25度では0.04mA、70度では0.15mAの低消費電力を実現した。同社では世界最小の待機電流を実現したとしている。

□エルピーダメモリのホームページ
http://www.elpida.com/ja/
□ニュースリリース
http://www.elpida.com/ja/news/2005/01-13.html

(2005年1月13日)

[Reported by date@impress.co.jp]