12月18日発表

　エルピーダメモリ株式会社は18日、高速DRAMを実現するためのポリメタルゲートプロセスを開発したと発表した。

　素子の微細化に伴うメモリセル面積の縮小は、基板の不純物濃度の上昇を招き、データ保持特性や長期信頼性に悪影響を及ぼす。同社は基板の不純物濃度を低減し、これらの問題を改善したほか、トランジスタの駆動能力を40%以上向上させたとしている。

　また、製造工程中の熱処理を低温化し、ゲート絶縁膜を酸化膜から酸窒化膜に変更することで、周辺回路のトランジスタをマイクロプロセッサ等と同タイプのものにし、高速化を図った。

　これらは1Gbit DDR2 SDRAMの低抵抗ポリメタルゲート技術を改良したもの。試験的に512Mbit DDR2 SDRAMに適用したところ、667Mbpsのデータ転送速度を確認したとしている。

　同社では今後、量産製品への同技術の導入を進め、高速製品を出荷する予定としている。

□エルピーダメモリのホームページ
http://www.elpida.com/ja/
□ニュースリリース
http://www.elpida.com/ja/news/2003/12-18.html
□関連記事
【12月11日】エルピーダ、1Gbit DDR2 SDRAMをサンプル出荷開始
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2003/1211/elpida.htm

(2003年12月18日)

[Reported by tanak-sh@impress.co.jp]