形成された構造

12月8日(現地時間) 発表

　米IBMは8日(現地時間)、ナノテクノロジー応用の半導体プロセスによりフラッシュメモリ素子の構造を形成することに成功したと発表した。

　超微粒子や有機物質からなるナノメートルサイズの材料が自然に集まって構造形成する自己組織化現象を利用したもので、従来のフォトリソグラフィ技術に対して、より簡単に構造を形成できるとしている。今後、3年から5年の間に、試作段階での使用が可能になる見込み。

　自己組織化現象は、微細プロセスの形成に有効な技術とされており、日立製作所などが技術発表を行なっている。

□IBMのホームページ(英文)
http://www.ibm.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www-1.ibm.com/press/PressServletForm.wss?
MenuChoice=pressreleases&TemplateName=ShowPressReleaseTemplate&SelectString=
t1.docunid=6453&TableName=DataheadApplicationClass&SESSIONKEY=any&WindowTitle=Press+Release&
STATUS=publish
□ニュースリリース(和訳)
http://www-6.ibm.com/jp/NewsDB.nsf/2003/12091
□技術解説(英文)
http://domino.research.ibm.com/Comm/bios.nsf/pages/selfassembly-iedm.html
□IBMのナノテク研究ページ(英文)
http://www.research.ibm.com/pics/nanotech/

(2003年12月9日)

[Reported by date@impress.co.jp]